| 专利名称 | 用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法 | 申请号 | CN200910244354.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102110515A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王云鹏;王文秀;刘东屏;韩秀峰 | 主分类号 | H01F10/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/10(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I | 专利有效期 | 用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法 至用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法。该用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜，包括被钉扎层、间隔层和自由层，其中所述间隔层为非两性有机材料。采用本发明的方法能得到高均匀性的有机膜，形成的器件质量轻，且制造成本低。 |
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