| 专利名称 | 一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法 | 申请号 | CN200910243780.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102110648A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宋毅;周华杰;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法 至一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于准平面工艺制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积缓冲SiO2氧化层/SiN介质层，电子束曝光，刻蚀两个距离较近的凹槽，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si，干氧氧化，湿法刻蚀去除SiN，应力自限制氧化形成纳米线，垫积并各向异性刻蚀氧化物介质层，并平坦化表面，湿法刻蚀释放纳米线的同时保留底部足够厚SiO2作隔离，长栅介质和垫积栅材料，反刻栅并以栅介质为阻挡层各向同性刻蚀栅材料，源/漏浅注入，垫积和刻蚀侧墙，源/漏深注入，形成接触。本发明消除了自加热效应和浮体效应，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。 |
1、源头对接，价格透明
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