| 专利名称 | 一种低温去除硅中硼磷的方法 | 申请号 | CN201010620791.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102107874A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 赵立新;王志;郭占成 | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温去除硅中硼磷的方法 至一种低温去除硅中硼磷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种低温去除硅中硼磷的方法，属于高纯硅的生产技术领域，是硅在锡基合金液中的重结晶净化。该方法将工业硅经过破碎酸洗预处理，与锡基合金加热完全共熔，冷却使硅重新结晶析出，结晶硅快速铸块，破碎酸洗可得硼、磷浓度低的高纯硅。该方法重结晶温度为300～1400℃，硅损失量小于5％。与目前冶金法净化硅相比，可实现硼、磷杂质同步快速去除，操作温度降低600～1700℃。 |
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