| 专利名称 | 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 | 申请号 | CN201210142488.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102677161A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙瑞贇;杨建荣;魏彦锋;张传杰;孙权志;陈倩男;张娟;陈晓静 | 主分类号 | C30B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B19/00(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 专利有效期 | 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 至碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。 |
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