| 专利名称 | 具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210185344.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102676994A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 熊泽;刘学超;卓世异;孔海宽;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 至具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0?≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性，而且具有在较大范围内可调的电阻率，以及在较大范围内可调的电子浓度，可为自旋电子器件的研究和应用提供良好的材料。 |
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