| 专利名称 | 控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 | 申请号 | CN200910089597.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101964345A | 公开（授权）日 | 2011.02.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;朱慧珑;陈世杰;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 至控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用界面偶极子控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法。在CMOS器件栅叠层中的高k栅介质层内部插入一层极薄多晶硅层或者非晶硅层或者SiO2层，利用该极薄帽层在高k栅介质层内部形成的界面偶极子来调节器件的阈值电压。通过采取该工艺，在不明显增加器件的EOT的情况下，可以有效地控制CMOS器件的阈值电压。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障