| 专利名称 | 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法 | 申请号 | CN200910089598.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101964005A | 公开（授权）日 | 2011.02.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法 至一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，该方法包括：A、将单粒子入射节点处的电荷收集机制采用瞬态电流源来表示；B、在瞬态失效分析时将CMOS电路分为不同的级段，每个级段均由NMOS模块和PMOS模块构成；C、将CMOS电路单粒子瞬态简化为输出节点集总有效负载电容C、有效电阻R和瞬态电流源的并联回路；D、推导出单粒子瞬态脉冲宽度表达式和瞬态脉冲峰值表达式；E、当单粒子入射节点瞬态脉冲峰值超过VDD/2时，认为发生单粒子翻转错误。利用本发明，基于简单的解析模型，可以评估复杂电路中每一门电路的单粒子瞬态敏感度。 |
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