| 专利名称 | 一种增强LED出光效率的粗化方法 | 申请号 | CN201010263076.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101976712A | 公开（授权）日 | 2011.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙莉莉;闫建昌;王军喜;刘乃鑫;魏同波;魏学成;马平;刘喆;曾一平;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 一种增强LED出光效率的粗化方法 至一种增强LED出光效率的粗化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层和衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜上形成一层纳米尺寸胶点；步骤3：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该需要粗化的薄膜；步骤4：湿法去除光刻胶并清洗，完成薄膜的粗化。本发明提供的这种粗化方法，具有低温、低成本、低污染及与传统的LED工艺相兼容等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。 |
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