| 专利名称 | 用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备 | 申请号 | CN201010292223.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101976696A | 公开（授权）日 | 2011.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/10(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备 至用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。 |
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