| 专利名称 | 基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法 | 申请号 | CN201010292303.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101976677A | 公开（授权）日 | 2011.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘燕;宋志棠;凌云;龚岳峰;李宜谨 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/22(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 专利有效期 | 基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法 至基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极管之上的第二导体层；分别位于每个第二导体层之上的相变存储层；电连接于相变存储层的多条位线，其中的ZnO肖特基二极管由第一导体层和n型ZnO多晶态薄膜组成。本发明采用由n型ZnO多晶态薄膜和金属层形成的ZnO肖特基二极管作为选通元件，使相变存储器具有更高的密度，更低的功耗和更高的性能，其制备方法采用原子层沉积n型ZnO多晶态薄膜的低温工艺，在成本上具有竞争力，更有望在三维堆栈相变存储器中得到广泛应用。 |
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