| 专利名称 | 相变存储单元的数据读出电路及读出方法 | 申请号 | CN201010501678.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101976578A | 公开（授权）日 | 2011.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李喜;宋志棠;陈后鹏 | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储单元的数据读出电路及读出方法 至相变存储单元的数据读出电路及读出方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变存储单元的数据读出电路及读出方法，所述电路至少包括：读电流供应电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等，先由预充电电路对待读的相变存储单元的位线预充电，在停止充电后，判决管会因待读的相变存储单元的阻值的不同而进入导通或截止状态，再由比较电路将判决管在导通或截止时输出的电压和预设参考电压进行比较，由此输出和待读的相变存储单元的阻值相应的电位，并在比较电路输出相应电位后，放电电路将位线上残余电荷泄放，从而完成数据的读取，此法可有效避免位线上寄生电容的影响。 |
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