| 专利名称 | 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法 | 申请号 | CN201010252343.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101976675A | 公开（授权）日 | 2011.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴良才;宋志棠;倪鹤南 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 专利有效期 | 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法 至宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法，其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、击穿电场强度高以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作高速、高密度、抗辐射的电子器件，宽带隙半导体材料与具有高速、高缩微能力、具有天然抗辐射等性能的相变材料结合，集成出高速、高密度、低功耗、耐压、抗辐照等优异性能的相变存储单元，进而制备出高速、高密度、低功耗、抗辐射等优异性能的相变存储器。 |
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