| 专利名称 | BSIMSOI4直流模型参数的确定方法 | 申请号 | CN201010515128.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101976283A | 公开（授权）日 | 2011.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | BSIMSOI4直流模型参数的确定方法 至BSIMSOI4直流模型参数的确定方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法，该方法通过提供若干不同尺寸的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件；测量所有体引出结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，以及所有浮体结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性；并获取各个体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件的无自热效应的电学特性曲线；然后依次按照特定步骤提取BSIMSOI4模型的直流参数。本发明根据模型方程依次选择适当的测试曲线，逐步确定各类参数，从而可准确有效的提取出BSIMSOI4模型的直流参数。 |
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