| 专利名称 | 通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法 | 申请号 | CN201210182173.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683504A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张宇翔;宋贺伦;黄寓洋;张耀辉 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法 至通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法，通过该方法制作的晶体硅太阳能电池一方面采用离子注入砷形成表面的N型区域，可以同时具备高掺杂和浅结的功能，从而提高开路电压和电池效率，而且相对于磷，退火后高剂量的砷并不会在硅表面引起太多缺陷，也有益于降低硅片的表面态密度，提高少子寿命；另一方面硅片的金属与硅片的欧姆接触仍采用传统的扩散制结的方法，这样本方法就与现在光伏电池制造领域常规的扩散制结和丝网印刷烧结技术完全兼容，无需摸索新的参数，可以实现大规模量产。 |
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