| 专利名称 | 一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备 | 申请号 | CN201210131540.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102674366A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 吕佩文;黄丰;董建平;颜峰岥;林璋;黄嘉魁;黄顺乐 | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 专利有效期 | 一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备 至一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚依次排列，高度逐渐降低；石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区，坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器或中频加热，结构简单；块状或粉末状硅原料由进料腔加入到石墨坩埚进行熔化，当硅水液面高于石墨隔离带后，硅水从熔化区流入到蒸发区；流经蒸发区的硅水流入到水冷坩埚内，完成浇铸。该设备可以在高真空条件下连续熔炼，去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等挥发性杂质。本发明具有高真空、高温、连续熔炼的技术特点，拥有能耗低、无耗材、成本低、易于操作与控制的优点。 |
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