| 专利名称 | 新结构碲化银晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201210150810.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102674269A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 朱洁;刘青清;靳常青 | 主分类号 | C01B19/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/04(2006.01)I | 专利有效期 | 新结构碲化银晶体及其制备方法 至新结构碲化银晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种新结构Ag2Te的制备方法，包括如下步骤：1）在常压下制备出单斜相的Ag2Te晶体；2）将单斜相的Ag2Te晶体置于压力为2~10GPa下进行超高压压制，得到正交相的Ag2Te晶体。本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为坍塌的正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明的正交相Ag2Te晶体与常压下制备的Ag2Te晶体结构相比较，其结构紧凑，对称性提高，配位数增加。 |
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