| 专利名称 | 一种化学气相沉积装置 | 申请号 | CN201010162506.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101819925A | 公开（授权）日 | 2010.09.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 段瑞飞;曾一平;王军喜;冉军学;胡国新;羊建坤;梁勇;路红喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 一种化学气相沉积装置 至一种化学气相沉积装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。 |
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