| 专利名称 | 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法 | 申请号 | CN201010186449.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102263041A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;马小波;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法 至多层堆叠电阻转换存储器的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余部分半导体，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离等工艺；继续在键合圆晶上制造选通单元和电阻转换存储单元，获得的多层堆叠电阻转换存储器中的重掺杂半导体为字/位线。本发明采用重掺杂的半导体字/位线取代金属字/位线，能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。 |
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