| 专利名称 | 一种钌酸锶靶的制备方法 | 申请号 | CN201110203525.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102259937A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;刘战强 | 主分类号 | C01G55/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G55/00(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种钌酸锶靶的制备方法 至一种钌酸锶靶的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种钌酸锶靶的制备方法，采用低温预烧-高温加压烧结两步法制备出高致密度的SRO(SrRuO3)陶瓷靶，可达理论密度的86-88％。本方法制备的SRO陶瓷靶可应用于溅射、分子束外延法、脉冲激光沉积等工艺中获得SRO薄膜。本方法制备SRO陶瓷靶的特点为：1)在原料压片预烧时采用比较低的温度和较短的时间，使得制备的前驱物结晶性较弱、活性高、晶粒小；2)预置片材在排胶和应力释放后直接同位升温并加压进行高温热压烧结，有利于得到致密且成型好的靶材。 |
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