| 专利名称 | 一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法 | 申请号 | CN201010191154.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102260858A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张广宇;时东霞;张连昌 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法 至一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法，步骤为：A)基底材料放入等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔体中，抽真空，基底升温到400-600℃，通入碳氢化合物气体以及其它惰性气体，控制气体的气压不超过1Torr；B)开启等离子体电源，使碳氢化合物离化裂解成活性基团，在400-600℃的基底表面发生反应，实现石墨烯的直接生长。本发明解决了在非特异性基底表面直接生长高质量石墨烯的难题，无论是对探索石墨烯的大面积直接生长技术、理解石墨烯的生长机理、研究石墨烯的基础物理问题，还是对探索石墨烯薄膜的实际应用、拓展石墨烯的应用范围都具有重要意义。 |
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