| 专利名称 | 3D集成电路及其制造方法 | 申请号 | CN201010189140.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102263099A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 专利有效期 | 3D集成电路及其制造方法 至3D集成电路及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种3D集成电路及其制造方法，该电路结构包括：半导体衬底；半导体器件，形成于所述半导体衬底的上表面；硅通孔，贯穿所述半导体衬底，包括覆盖所述硅通孔侧壁的绝缘层以及所述绝缘层内填充的导电材料；互连结构，将所述半导体器件与所述硅通孔之间进行连接；以及扩散俘获区，形成于所述半导体衬底的下表面。本发明适用于3D集成电路的制造。 |
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