| 专利名称 | 纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法 | 申请号 | CN201010163476.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101818294A | 公开（授权）日 | 2010.09.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;吴良才 | 主分类号 | C22C28/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C28/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法 至纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种纳米复合相变材料，就是在相变材料中掺入Si元素，使具有可逆相变能力的相变材料被非晶的Si元素均匀隔离成纳米尺度的区域，从而形成二元的纳米复合结构。此外本发明还提供一种纳米复合相变材料和一种优选纳米复合相变材料作为相变存储器材料的方法。由Si元素形成的纳米结构一方面可提高相变材料的结晶温度，从而相应提高数据的保持力，有助于与CMOS工艺的集成；另一方面其纳米结构限定了相变材料的可逆相变过程中的活动范围，有助于抑制相变材料的成分偏析，提高相变材料的稳定性，从而提高相变存储器件的性能；此外，Si元素的加入还可提高相变材料的黏附力，增强可加工性。 |
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