| 专利名称 | SOI MOS晶体管 | 申请号 | CN201210155387.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102664189A | 公开（授权）日 | 2012.09.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | SOI MOS晶体管 至SOI MOS晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种SOI?MOS晶体管，包括有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；栅极，覆盖部分的有源区；源区和漏区，分别位于栅极长度方向两侧的有源区中，其中源区和漏区的与栅极交界的部分的宽度相等；其中被栅极覆盖的有源区部分包括以源区和漏区的与栅极交界的部分的宽度在源区和漏区之间延伸的沟道区，其中有源区包括至少两个梳齿状突出部，在沟道区的长度方向上以一定的间隔排列在沟道区在宽度方向上的一侧或两侧；其中，梳齿状突出部的末端未被栅极覆盖的部分为体接触区。本发明提供的SOI?MOS晶体管可以减小侧向漏电、体电阻及寄生电容。 |
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