| 专利名称 | 一种双面冷却的功率半导体模块 | 申请号 | CN201210153042.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102664177A | 公开（授权）日 | 2012.09.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉 | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双面冷却的功率半导体模块 至一种双面冷却的功率半导体模块 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种双面冷却的功率半导体模块。所述的功率半导体模块（100）含有至少两个功率半导体芯片（107、106），其位于第一衬底（115）和第二衬底（103）之间。每个衬底均由三层结构组成：中间一层为高导热的电绝缘层，电绝缘层的上层和下层为金属层。所述的金属层含有电路结构，通过焊接实现功率半导体芯片、正极端子、负极端子、交流输出端子和栅极控制端子之间的互联。功率半导体芯片的栅极控制端子位于该芯片的中间或边角处。一块凹形冷却板倒扣安装在第一衬底（115）上的绝缘层（117）或第一金属层（215a）上，另一块平板状冷却板水平布置在第二衬底（103）下面。所述的功率半导体芯片的热量通过第一衬底（115）和第二衬底（103）传导至两块冷却板散热，从而实现双面冷却。 |
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