| 专利名称 | 室温单电子晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201110059597.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102169837A | 公开（授权）日 | 2011.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李加东;吴东岷;谢杰 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 室温单电子晶体管的制备方法 至室温单电子晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明的优点至少在于：克服了当前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电子晶体管的能力等方面的问题，同时降低了单电子晶体管的生产成本。 |
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