提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法

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专利名称 提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法 申请号 CN201110004286.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102169012A 公开(授权)日 2011.08.31 申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 李中梁;王向朝;王渤帆 主分类号 G01H9/00(2006.01)I IPC主分类号 G01H9/00(2006.01)I 专利有效期 提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法 至提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法,通过合理地选择正弦相位调制深度,从原理上消除了光源的光强调制引起的系统误差,减小了电路中的直流噪声引起的随机误差,提高了振动测量精度。

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