| 专利名称 | 一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法 | 申请号 | CN201110042643.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102169845A | 公开（授权）日 | 2011.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于大全;王惠娟 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;B23K1/00(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法 至一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法。所述方法包括：在一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成硬金属锥形阵列；在另一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成软金属层；在两个待混合键合衬底的非金属焊盘表面形成介电粘附层；将硬金属锥形阵列和软金属层对准，进行加热和加压后，使得锥形金属阵列插入到软金属层中，同时介电粘附层相互结合，形成一种混合预键合结构；再进行加热，使插入到软金属层中的锥形金属阵列形成金属间化合物，介电粘附层固化结合。与传统的键合方法相比，本发明方法成品率高，节省键合时间，降低成本，同时提高产品的可靠性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障