| 专利名称 | 一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料及其制备方法 | 申请号 | CN201010609755.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102167579A | 公开（授权）日 | 2011.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 刘丰华;许高杰;段雷;李勇;崔平 | 主分类号 | C04B35/453(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料及其制备方法 至一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料，由如下原料制成：ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO、Al2O3和硼的氧化物；相对于100重量份ZnO，所述的硼的氧化物的添加量以B2O3换算计为2.2～20重量份。该材料不含Sb2O3，烧结温度较低，电压敏综合性能优良。本发明还公开了该材料的制备方法，工艺简单易于操作。 |
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