| 专利名称 | 体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法 | 申请号 | CN201110072207.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102147828A | 公开（授权）日 | 2011.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法 至体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。 |
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