| 专利名称 | 一种电阻转换存储器结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110026033.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102148329A | 公开（授权）日 | 2011.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;朱南飞;宋志棠;刘波;吴关平;张超;谢志峰;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电阻转换存储器结构及其制造方法 至一种电阻转换存储器结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。 |
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