| 专利名称 | 一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法 | 申请号 | CN201110082471.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102147567A | 公开（授权）日 | 2011.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗海燕;陈岚;尹明会;赵劼 | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F1/14(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法 至一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及65纳米集成电路的制造工艺和版图设计技术领域，公开了一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正(OPC)方法。该方法通过将层次化设计的概念引入到全芯片OPC修正过程中，将所有标准单元图形规则化，并在标准单元库构建的过程中对标准单元进行OPC，当全芯片版图得到以后，将其中的标准单元部分用OPC修正过的单元代替，从而不必再做全芯片打平方式的OPC，极大的降低了掩模数据存储量，有利于光刻分辨率增强，从而降低了生产误差，提高了芯片生产效率。 |
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