| 专利名称 | 一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201210113297.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102659810A | 公开（授权）日 | 2012.09.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 于贵;黄剑耀;王丽萍;罗皓;朱敏亮;陈华杰;刘云圻 | 主分类号 | C07D495/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D495/04(2006.01)I;C07D495/22(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 专利有效期 | 一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用 至一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用。并四噻吩衍生物，结构如式(I)所示，其中，R为氢、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他各种取代基取代的并四噻吩衍生物的合成。以本发明合成的[1]苯并噻吩并[3”.2”：4’，5’]噻吩并[2’.3’：4，5]噻吩并[2，3-b][1]苯并噻吩为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为0.05cm2V-1s-1，开关比大于106，它们在OFET器件中有良好的应用前景。式I |
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