| 专利名称 | 在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法 | 申请号 | CN200910077648.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101798706A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;黄青松;王文军;王皖燕;杨蓉 | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 专利有效期 | 在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法 至在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅(SiC)基底上外延生长，这种石墨烯在电子束轰击下，强制形核并可控生长。石墨烯的层数可以控制在6层以下，生成区域的平均直径可达厘米量级。制备方法采用真空脉冲电子束轰击。先将SiC去位清洗并将表面氢蚀成原子级平整度的原子台阶。在真空腔中对SiC采用脉冲电子束轰击，形成的石墨烯连成一片；旋转靶台，继续轰击，新生成的石墨烯会与先生成的合并；重复这一过程，可以制备大面积的石墨烯。扫描隧道显微镜(STM)研究表明通过本发明脉冲电子束法可以在SiC表面上形成高质量石墨烯。 |
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