| 专利名称 | 一种对上电极进行费米能级修饰的方法 | 申请号 | CN200910077528.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101783394A | 公开（授权）日 | 2010.07.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对上电极进行费米能级修饰的方法 至一种对上电极进行费米能级修饰的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对上电极进行费米能级修饰的方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、在有机半导体材料上通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属镍，并让金属镍在空气中自然氧化成氧化镍；步骤4、继续通过漏版用电子束蒸发蒸镀金属电极，完成器件的制作。利用本发明，不仅能有效减小金电极对有机半导体层的渗透和反应，同时，自然氧化的氧化镍层作为一种高功函数的过渡层，减小了金电极与有机半导体层之间肖特基势垒，从而改善了电极与有源层的接触。 |
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