| 专利名称 | 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途 | 申请号 | CN201010105702.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101783391A | 公开（授权）日 | 2010.07.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋三年;宋志棠 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途 至纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途，其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为8-36％的Ta2O5、和重量百分比为64-92％的相变材料，由于相变材料与Ta2O5在纳米尺度的均匀复合，Ta2O5的存在一方面抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率和晶化温度，增加了材料的热稳定性；另一方面由于晶界密度的增加，材料的热导率减小，同时Ta2O5的引入提升了材料的介电常数，有利于器件阈值电压的减小。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。 |
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