| 专利名称 | 一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法 | 申请号 | CN201010561133.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479745A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 庞磊;陈晓娟;陈中子;罗卫军;袁婷婷;蒲颜;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法 至一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。 |
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