| 专利名称 | 化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法 | 申请号 | CN201010567260.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479701A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;刘金彪;贺晓彬;赵超;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法 至化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法，所述化学机械平坦化的方法包括：提供具有栅极和栅极两侧的源漏区的基底，栅极和源漏区上覆盖有隔离层，隔离层包括位于栅极上方的凸起部和位于栅极之间基底表面上的凹陷部；对隔离层进行选择性掺杂工艺，仅使得凸起部被掺杂；对掺杂后的基底进行CMP工艺，去除凸起部并使基底表面平坦化。所述方法通过对隔离层进行选择性掺杂工艺，仅使得隔离层的凸起部被掺杂，会增强CMP工艺中研磨液对凸起部材料的化学腐蚀作用，提高CMP工艺过程对凸起部材料的移除速率，从而改善研磨过程的芯片内的均匀性，进而在后栅形成过程中，栅极之间的隔离层内不会有残余金属，能够避免器件的短路缺陷。 |
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