| 专利名称 | 提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 申请号 | CN201010571656.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479695A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 专利有效期 | 提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法 至提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在进行针对金属层的化学机械平坦化工艺之前，采用一金属刻蚀工艺，使得相邻金属栅之间的金属层与金属栅正上方的金属层的高度落差大幅减小，从而在研磨过程中，高度落差不会传递至金属栅正上方的金属层，极大地减小金属栅顶部的凹陷，得到了具有平坦顶部的金属栅，从而提高器件电学性能和成品率。 |
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