| 专利名称 | 一种6T CMOS SRAM单元 | 申请号 | CN201010571664.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479545A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 一种6T CMOS SRAM单元 至一种6T CMOS SRAM单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种6T?CMOS?SRAM单元，包括两个NMOS传输栅晶体管、两个PMOS上拉晶体管以及两个NMOS下拉晶体管，其特征在于，所述PMOS上拉晶体管的源极同与所述NMOS传输栅晶体管栅极相连的字线相连接，所述NMOS传输栅晶体管的阈值电压高于待机状态时字线上的电压值。通过将上拉晶体管原本接至高电压的源极与传输栅晶体管的栅极端一同与字线连接，待机时的电位显著低于读写时的高电位，从而降低待机漏电量。 |
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