| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010553050.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479812A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、位于所述衬底中的沟道区、源漏区、位于所述沟道区上的栅极和栅极侧墙以及位于所述源漏区上的镍基硅化物，其特征在于：所述镍基硅化物为外延生长的薄膜层。通过合理设置镍基硅化物材质以及处理温度，使得镍基硅化物可以承受为了消除DRAM电容缺陷而进行的高温退火，从而可以降低DRAM的MOSFET源漏寄生电阻和接触电阻，同时也可与现有CMOS制造技术兼容。 |
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