| 专利名称 | 监控栅槽刻蚀的方法 | 申请号 | CN201010574009.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479732A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 魏珂;郑英奎;刘新宇;刘果果;彭明曾 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;G01B7/02(2006.01)I | 专利有效期 | 监控栅槽刻蚀的方法 至监控栅槽刻蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种监控栅槽刻蚀的方法，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，至少有两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得至少两个参考凹栅槽器件的转移特性；通过至少两个参考凹栅槽器件的转移特性，判断实际凹栅槽器件的栅槽刻蚀情况。通过本发明提供的方法，能可靠地获得实际凹栅槽器件的是否进行了有效刻蚀，并且本次刻蚀的结果可以作为下次刻蚀的依据。 |
1、源头对接，价格透明
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