| 专利名称 | 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法 | 申请号 | CN201010617826.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102096334A | 公开（授权）日 | 2011.06.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 王长涛;方亮;罗先刚;刘玲;冯沁;赖之安;杨欢 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/08(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法 至一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法，该超衍射成像器件相邻的透光区通过交替填充具有正负介电系数的两种材料，分别实现相位延迟和相位超前，大大增强了材料厚度对相位差的调制，使该器件更容易实现π相位差，从而进一步提高其成像分辨率。这一方案解决了传统超衍射成像器件难以实现40nm线宽以下分辨率的技术难题，在超分辨成像和纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。 |
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