| 专利名称 | 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法 | 申请号 | CN201010617769.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102096316A | 公开（授权）日 | 2011.06.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘尧;王长涛;罗先刚;方亮;刘玲;刘凯鹏 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法 至一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法，其特征在于首先在掩模基底上制备岛型凸起结构，然后溅射避光膜层，利用直写手段在岛形区域的避光膜层上加工纳米图形。本发明可以提高掩模图形结构特征尺寸小于λ/2时，超衍射光刻所得光刻材料图形结构的分辨力和光刻图形质量。 |
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