| 专利名称 | 光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法 | 申请号 | CN201110363182.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102495526A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 顾长志;田士兵;李俊杰;夏晓翔;杨海方 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法 至光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于形成微纳空穴结构的光学曝光方法，包括以下步骤：1)选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形或其阵列；2)将掩膜板设置于待曝光的正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分后的泊松亮斑同样曝光；3)显影，在所述正光刻胶上得到具有与所述泊松亮斑相应的空穴的图形。通过该方法可以制备出长径比为可控的硅管状结构阵列，这种曝光技术不仅大大提高实验室光学掩膜曝光的极限尺寸，并突破了利用干涉曝光只能得到周期型线条和点阵的局限，大大节约了成本以及丰富了试验工艺。这种结构在光子晶体、滤波器件以及径向p-n结太阳能电池领域均有广阔的应用前景。 |
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