| 专利名称 | 一种III-V族半导体镍金属化制造方法 | 申请号 | CN201110429393.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102496567A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;王虹;卢力;常虎东;孙兵 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种III-V族半导体镍金属化制造方法 至一种III-V族半导体镍金属化制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种III-V族半导体镍金属化制造方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层上淀积栅介质层，在该栅介质层上淀积栅金属层；在未被栅介质层及栅金属层覆盖的该外延层之上、栅介质层及栅金属层的侧壁以及栅金属层之上，淀积难融金属层；在该难融金属层上淀积合金金属层；以及快速退火形成合金层，其中该合金层是所述合金金属层穿透所述难融金属层后与该外延层一起合金形成的。本发明通过在金属Ni下面插入一层阻挡层，调控Ni与III-V族半导体反应速率，提高腐蚀液对Ni与Ni合金层的选择比。本发明可以在不增加方阻的前提下改善源漏Ni金属表面形貌，最终达到提高源漏欧姆接触特性的目的。 |
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