| 专利名称 | 一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法 | 申请号 | CN201110447744.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102492984A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨芳;汪志明;石刘;冯加贵;郭建东 | 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法 至一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：1)在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；2)根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的亮度变化来调整Ti和Sr的束流比例，使薄膜表面的重构与衬底表面的重构相同。 |
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