| 专利名称 | 一种多层薄膜的沉积方法 | 申请号 | CN201010191763.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102094180A | 公开（授权）日 | 2011.06.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 赵彦辉;肖金泉;郎文昌;于宝海;华伟刚;高立军 | 主分类号 | C23C14/54(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/54(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多层薄膜的沉积方法 至一种多层薄膜的沉积方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于金属材料表面沉积超硬多层涂层技术领域，具体为一种钛/氮化钛多层薄膜的沉积方法，解决了普通电弧离子镀沉积多层薄膜时单元层厚度波动较大的问题。该方法包括如下步骤：(1)通过交替通入气体，精确控制气体流量和时间；(2)采用电弧离子镀技术在工件表面沉积金属/金属氮化物多层薄膜。采用气体质量流量控制器实现多路气体氩气和氮气的交替通入，且实现气体流量和气体交替通入时间的精确控制，设定气体流量值及对应的沉积时间，可实现60层多层薄膜的沉积。本发明所涉及的气体流量交替控制技术可以保证多层涂层的单元层厚度和质量得到有效控制，大大提高了多层薄膜单元层厚度的控制精度，可以有效改善多层薄膜的性能。 |
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