| 专利名称 | 用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法 | 申请号 | CN201010569991.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102487119A | 公开（授权）日 | 2012.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;朱敏;吴良才;饶峰;张挺 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法 至用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于相变存储器的-纳米复合相变材料，该材料由相变材料与复合而成，其化学式为，其中,。本发明通过在相变材料中掺入，使得具有可逆相变能力的相变材料被非晶态隔离成纳米尺度的区域，形成复合结构；提升了相变材料的电阻率和结晶温度，降低了相变材料热导率。相变材料的晶态电阻的增加，可以降低相变存储器件的Reset电流，从而克服了相变材料Reset电流过大的障碍；结晶温度的升高可以提升-相变材料器件的稳定性，熔化温度的下降则有效降低了其功耗；而热导率的降低，则可以提高能量的利用率。 |
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