| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010576904.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102487085A | 公开（授权）日 | 2012.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括，衬底；栅极堆叠结构，位于沟道上；栅极堆叠结构左右消除了传统的隔离侧墙；源漏区，位于栅极堆叠的两侧的衬底区；外延生长的金属硅化物，位于源漏区上；其特征在于：外延生长的金属硅化物直接与栅极堆叠控制的沟道接触，从而消除了隔离侧墙下面的高阻区。同时，外延生长的金属硅化物可以经受为了提高高k栅介电材料性能进行的高温第二退火，进一步提升了器件的性能。依照本发明的MOSFET，大大减小了寄生电阻电容，从而降低了RC延迟，使得MOSFET器件开关性能达到大幅提升。 |
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