| 专利名称 | 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 | 申请号 | CN201010574100.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102487104A | 公开（授权）日 | 2012.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘洪刚;申华军;吴德馨 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 至一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注入工艺；进行第一次快速退火后处理工艺，使注入区产生带隙波长的蓝移；利用标准光刻工艺，刻蚀掉部分区域的扩散缓冲层；进行第二次快速退火后处理工艺，使保留扩散缓冲层在原来的基础上再次产生带隙波长的蓝移，在具有相同量子阱结构的III-V族外延片上形成了具有三种不同带隙波长的区域。本发明为基于硅基异质光电集成技术的芯片内光互连系统中不同III-V族有源器件集成提供了材料基础。 |
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